化合物半导体

GaN 和GaAs 具有高的禁带宽度和高的载流子迁移率，适合做高频器件，但是工艺中希望栅极精度要求100nm级别，普通的Mask Aligner 无法满足工艺要求，Stepper 光刻机可以满足，但是成本高昂，电子束光刻机可以高效灵活解决类似的客户需求。